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南方芯源推出全新A系列MOSFET
南方芯源(Samwin)開(kāi)始向市場(chǎng)推廣全新A系列MOSFET。Samwin A系列采用先進(jìn)的6寸片0.6um生產(chǎn)線，產(chǎn)品的品質(zhì)因子處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位，與Fairchild uniFET產(chǎn)品一致。在民用級(jí)開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品上完全可替代國(guó)外品牌。
2008-10-01
A系列MOSFET 開(kāi)關(guān)電源
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用于功率變換器的IGBT驅(qū)動(dòng)核心電路
用于IGBT功率模塊上的驅(qū)動(dòng)電路必須能夠完成門(mén)極驅(qū)動(dòng)和模塊保護(hù)功能。它們還必須能為控制部分和功率半導(dǎo)體之間提供電氣隔離，并滿(mǎn)足多種不同型號(hào)IGBT的驅(qū)動(dòng)要求。為了滿(mǎn)足上述要求，必須對(duì)現(xiàn)有的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行優(yōu)化。具體地說(shuō)，就是必須在諸多因素如功能，靈活性以及性?xún)r(jià)比之間尋求最優(yōu)平衡，所幸...
2008-10-01
IGBT SKYPER 電源隔離 dv/dt
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選擇正確的DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)?/span>
基于電子設(shè)備的處理器系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員經(jīng)常會(huì)在為他們的應(yīng)用選擇最佳電源架構(gòu)時(shí)遇到困難。有時(shí)最佳的解決方案是插入式電源。而有時(shí)采用由分立的元件組成的電源才是最佳的解決方案。選擇插入式電源解決方案相對(duì)來(lái)說(shuō)比較直接,但對(duì)于缺乏電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的數(shù)字設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),設(shè)計(jì)一個(gè)分立電源解決方案可能會(huì)使...
2008-10-01
DC/DC 轉(zhuǎn)換器 感應(yīng)器 IC
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低功耗電源的電感選擇
對(duì)于低功耗開(kāi)關(guān)電源的電感選取有許多特殊注意之處。對(duì)于低功耗、高效率的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)，一般的器件資料或者選型表提供的參數(shù)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。通常的電感都是鐵氧體磁芯(非低損耗材料)，必將逐步在低功率、高效率的應(yīng)用中淘汰。一種相對(duì)簡(jiǎn)單的電感損耗測(cè)試設(shè)備可以在設(shè)計(jì)的頻點(diǎn)測(cè)試電感的損耗，對(duì)比不...
2008-10-01
BUCK 趨膚效應(yīng) 磁芯損耗 電感
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傳導(dǎo)式EMI的測(cè)量技術(shù)
EMI是指部分的電磁（射頻）能量透過(guò)外部纜線、電源線、I/O互連介面，形成傳導(dǎo)波被傳送出去。本文將說(shuō)明射頻能量經(jīng)由電源線傳送時(shí)，所產(chǎn)生的傳導(dǎo)式雜訊對(duì)PCB的影響，以及如何測(cè)量傳導(dǎo)式EMI和FCC、CISPR的EMI限制規(guī)定。
2008-09-30
EMI FCC 雜訊電流 返回路徑
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傳感器和檢測(cè)儀表的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)
我國(guó)傳感器產(chǎn)業(yè)要適應(yīng)技術(shù)潮流，根據(jù)市場(chǎng)需求，做到“新苗交替、遠(yuǎn)近結(jié)合、品種齊全、滿(mǎn)足需求”，做到“大、中、小并舉”，“集團(tuán)化和專(zhuān)業(yè)化生產(chǎn)并存”，向國(guó)內(nèi)外兩個(gè)市場(chǎng)相結(jié)合的國(guó)際化方向發(fā)展，讓傳感器和檢測(cè)儀表抓住信息化的發(fā)展機(jī)遇。本文傳感器和檢測(cè)儀表的現(xiàn)狀，并預(yù)測(cè)了今后的發(fā)展趨勢(shì)。
2008-09-30
傳感器 儀表檢測(cè) 微型化
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車(chē)用磁阻傳感器式電子羅盤(pán)系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)
基于磁阻傳感器HMC1055的帶姿態(tài)補(bǔ)償功能，開(kāi)發(fā)了包含信號(hào)放大和置位/復(fù)位模塊的三維羅盤(pán)系統(tǒng)的硬件電路，并提出了干擾校正的軟件算法以適應(yīng)車(chē)內(nèi)復(fù)雜的動(dòng)態(tài)工作環(huán)境
2008-09-30
磁阻傳感器 HMC1055 導(dǎo)航 磁阻式羅盤(pán)
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開(kāi)關(guān)電容穩(wěn)壓器
開(kāi)關(guān)電容穩(wěn)壓器是種新興技術(shù)，它結(jié)合了開(kāi)關(guān)電容器和LDO的主要特性，也就是將在Li-Ion 范圍上的高效率和小尺寸結(jié)合到一個(gè)適用于便攜式應(yīng)用的簡(jiǎn)易解決方案中。最近拓樸技術(shù)的發(fā)展也使其通過(guò)被動(dòng)元件的更小值來(lái)達(dá)到更低的噪聲。在便攜式器件中的許多功能要求一個(gè)降壓穩(wěn)壓器，更小的解決方案尺寸和更高...
2008-09-30
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 CFLY LDO FET PWM
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低壓差線性穩(wěn)壓器在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用
電源是各種電子設(shè)備必不可缺少的組成部分，其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)及能否安全可靠地工作。目前常用的直流穩(wěn)壓電源分線性電源和開(kāi)關(guān)電源兩大類(lèi)，由于開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部關(guān)鍵元器件工作在高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)，本身消耗的能量很低，開(kāi)關(guān)電源效率可達(dá)80％～90％，比普通線性穩(wěn)壓電源提高近一倍，...
2008-09-30
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源 LDO PSRR 電源抑制比
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