【導(dǎo)讀】隨著人工智能和邊緣計(jì)算對(duì)電源系統(tǒng)的效率與功率密度提出了更高要求。2025年11月25日，運(yùn)動(dòng)控制與電源傳感領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Allegro MicroSystems與氮化鎵技術(shù)供應(yīng)商英諾賽科共同宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作，推出一款突破性的4.2kW全GaN電源參考設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)融合了Allegro先進(jìn)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器與英諾賽科高性能氮化鎵晶體管，有望重塑未來AI數(shù)據(jù)中心及邊緣計(jì)算電源架構(gòu)。
強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，打造高效電源新方案
這款參考設(shè)計(jì)的核心在于結(jié)合了英諾賽科的650V及150V氮化鎵功率晶體管與Allegro的AHV85110隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。AHV85110采用了Allegro獨(dú)有的Power-Thru?自供電架構(gòu)，并內(nèi)置偏置電源，不僅提升了系統(tǒng)的開關(guān)性能，還大幅簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。據(jù)雙方介紹，這一組合能夠幫助電源系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)鈦金級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，功率密度突破100 W/in3，同時(shí)顯著降低無源器件的使用數(shù)量，為高密度計(jì)算場(chǎng)景提供了可行路徑。
英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用副總裁Larry Chen在評(píng)論此次合作時(shí)指出：“我們正致力于將氮化鎵技術(shù)在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的性能推向前所未有的高度。結(jié)合Allegro的驅(qū)動(dòng)器技術(shù)，我們?yōu)楣こ處熖峁┝思骖櫢咝?、高功率密度和快速上市周期的完整解決方案?！?/p>
技術(shù)創(chuàng)新：如何實(shí)現(xiàn)效率與密度的雙重突破
AHV85110柵極驅(qū)動(dòng)器在設(shè)計(jì)上體現(xiàn)了多重創(chuàng)新。其共模電容低至2.2pF，比傳統(tǒng)方案降低了5–10倍，有效抑制了電磁干擾（EMI），提升了系統(tǒng)的信號(hào)完整性。此外，該驅(qū)動(dòng)器通過集成偏置電源，使驅(qū)動(dòng)電路所需的無源元件數(shù)量減少80%，系統(tǒng)整體元件數(shù)量降低15%，解決了高頻電源設(shè)計(jì)中常見的復(fù)雜布局問題。
在結(jié)構(gòu)上，AHV85110采用超薄封裝，支持頂部散熱或雙面散熱，能夠與GaN功率器件緊密配合，優(yōu)化系統(tǒng)熱管理性能，從而確保設(shè)備在高負(fù)載AI應(yīng)用中的穩(wěn)定運(yùn)行。
賦能下一代AI與邊緣計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施
隨著AI模型規(guī)模擴(kuò)大與邊緣節(jié)點(diǎn)廣泛部署，電源系統(tǒng)需在有限空間內(nèi)提供更大功率，并盡可能降低能耗。氮化鎵技術(shù)憑借其高頻開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的特性，正逐漸成為高要求應(yīng)用場(chǎng)景的首選。Allegro與英諾賽科的參考設(shè)計(jì)為數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商和硬件開發(fā)者提供了一條可行的技術(shù)路徑，既滿足嚴(yán)苛的能效標(biāo)準(zhǔn)，也響應(yīng)了全球可持續(xù)發(fā)展的目標(biāo)。
Allegro功率產(chǎn)品副總裁Vijay Mangtani強(qiáng)調(diào)：“氮化鎵正在徹底改變數(shù)據(jù)中心的能源利用方式。我們致力于通過基礎(chǔ)性技術(shù)創(chuàng)新，幫助客戶解決系統(tǒng)級(jí)挑戰(zhàn)，保持行業(yè)領(lǐng)先?！?/p>
Allegro與英諾賽科的合作不僅是兩家技術(shù)企業(yè)之間的協(xié)同，更是半導(dǎo)體與電源行業(yè)邁向高頻高效電源系統(tǒng)的重要一步。這款4.2kW全GaN參考設(shè)計(jì)展示了如何通過器件與驅(qū)動(dòng)的深度協(xié)同，在提升效率的同時(shí)縮小體積，為應(yīng)對(duì)未來AI及邊緣計(jì)算的能源需求奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。隨著該方案的推廣，全球數(shù)據(jù)中心有望在性能、密度與環(huán)保屬性上實(shí)現(xiàn)全面提升。
