【導(dǎo)讀】在人工智能大型模型和邊緣智能領(lǐng)域的算力需求激增的推動(dòng)下，市場(chǎng)對(duì)于高性能存儲(chǔ)解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預(yù)測(cè)，2024年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的銷(xiāo)售額有望增長(zhǎng)61.3%，達(dá)到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲(chǔ)器正迎來(lái)市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的發(fā)展大時(shí)代，如鐵電存儲(chǔ)器FeRAM和ReRAM，以及磁性存儲(chǔ)器MRAM、阻變式存儲(chǔ)器ReRAM等。
在人工智能大型模型和邊緣智能領(lǐng)域的算力需求激增的推動(dòng)下，市場(chǎng)對(duì)于高性能存儲(chǔ)解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預(yù)測(cè)，2024年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的銷(xiāo)售額有望增長(zhǎng)61.3%，達(dá)到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲(chǔ)器正迎來(lái)市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的發(fā)展大時(shí)代，如鐵電存儲(chǔ)器FeRAM和ReRAM，以及磁性存儲(chǔ)器MRAM、阻變式存儲(chǔ)器ReRAM等。
2020-2024年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模及增速
富士通半導(dǎo)體（即將更名為RAMXEED）作為FeRAM產(chǎn)品全球兩個(gè)主要供應(yīng)商之一，只專注于高性能存儲(chǔ)器FeRAM和ReRAM的研發(fā)，以及以FeRAM、ReRAM為基礎(chǔ)的定制產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)?！拔覀兊漠a(chǎn)品適用于從個(gè)體到企業(yè)，從私人到公共的多種應(yīng)用，可廣泛應(yīng)用于汽車(chē)電子、工業(yè)控制、表計(jì)、助聽(tīng)器等重要基礎(chǔ)行業(yè)?！?/p>
近日，富士通半導(dǎo)體科技（上海）有限責(zé)任公司總經(jīng)理馮逸新在由E維智庫(kù)舉辦的第12屆中國(guó)硬科技產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新趨勢(shì)峰會(huì)暨百家媒體論壇上分享道，“富士通集團(tuán)公司開(kāi)展FeRAM的業(yè)務(wù)超過(guò)20年之久。我們的FeRAM產(chǎn)品深受全球用戶的好評(píng)，目前已累計(jì)出貨44億片之多?！?/p>
RAMXEED(原富士通半導(dǎo)體)總經(jīng)理 馮逸新
解碼 FeRAM和ReRAM，探索存儲(chǔ)技術(shù)極限性能可能
FeRAM和 ReRAM代表了非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的兩項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新，旨在提供比傳統(tǒng)存儲(chǔ)解決方案（如 SRAM、DRAM 和 Flash）更高的性能和更小的尺寸。隨著便攜式系統(tǒng)市場(chǎng)在過(guò)去十多年間的迅速擴(kuò)張，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)于大容量非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)的興趣日益濃厚。市場(chǎng)對(duì)更高效率、更快的內(nèi)存訪問(wèn)速度及更低功耗的需求，不斷推動(dòng)著NVM技術(shù)的進(jìn)步。據(jù)預(yù)測(cè)，全球非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模在2024年達(dá)到約945.2億美元的基礎(chǔ)上，到2029年將擴(kuò)大至1647.9億美元，其間將以11.76%的復(fù)合年增長(zhǎng)率持續(xù)增長(zhǎng)。
FeRAM依賴鐵電材料的獨(dú)特性質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。該類(lèi)存儲(chǔ)器以其超快的讀寫(xiě)速度、出色的寫(xiě)入耐久性以及較低的功耗特性而著稱。FeRAM的讀寫(xiě)速度是納秒級(jí)，這遠(yuǎn)超過(guò)NOR flash、EEPROM；讀寫(xiě)次數(shù)達(dá)到1014、1013之多，在某種意義上相當(dāng)于無(wú)限次，而EEPROM、NOR Flash一般都有次數(shù)的限制?；谶@兩個(gè)特點(diǎn)，在實(shí)時(shí)寫(xiě)入、掉電保護(hù)等、需要讀寫(xiě)次數(shù)比較高的快速非易失性存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景中（如智能卡、計(jì)量設(shè)備以及汽車(chē)中的事件數(shù)據(jù)記錄儀），F(xiàn)eRAM有著不可替代的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。同時(shí)，F(xiàn)eRAM也可以替換EEPROM、SARM以及MRAM。
相比之下，ReRAM則利用材料電阻狀態(tài)的變化來(lái)保存信息，通過(guò)電流調(diào)整特定材料（例如氧化鉿）的電阻特性。在功能上，ReRAM類(lèi)似于EEPROM規(guī)格，但內(nèi)存容量更大、讀出功耗更低、尺寸更小，非常適合于助聽(tīng)器等小型的電池驅(qū)動(dòng)的可穿戴器件應(yīng)用。近年來(lái)，ReRAM在全球范圍內(nèi)受到了極大的關(guān)注，雖然ReRAM技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)在一些芯片制造商的路線圖中，并且已有公司已經(jīng)開(kāi)始布局ReRAM相關(guān)的產(chǎn)品和服務(wù)，但是要實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用還需要克服一定的技術(shù)和市場(chǎng)挑戰(zhàn)?！皹I(yè)內(nèi)人士認(rèn)為NOR Flash在下一代的時(shí)候工藝會(huì)進(jìn)入瓶頸，未來(lái)可以替代NOR Flash的是ReRAM，但是ReRAM目前量產(chǎn)最大的容量是12Mb。若要替代NOR Flash，ReRAM的容量需要達(dá)到16Mbit到1Gb。”馮逸新表示。
富士通FeRAM/ReRAM的應(yīng)用定位
賦能多個(gè)熱門(mén)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用，智能存儲(chǔ)獲得廣泛落地
在數(shù)字化轉(zhuǎn)型的洶涌浪潮之下，存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新無(wú)疑成為了推動(dòng)各個(gè)行業(yè)闊步前行的核心力量。FeRAM和 ReRAM作為嶄露頭角的非易失性存儲(chǔ)新方案，以其別具一格的優(yōu)勢(shì)，在極為廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景里彰顯出了龐大的潛力。不管是在關(guān)乎國(guó)計(jì)民生的智能電網(wǎng)、智能交通系統(tǒng)之中，還是在工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療健康、娛樂(lè)科技以及云計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域之內(nèi)，亦或是在日常生活里隨處可見(jiàn)的智能標(biāo)簽和可穿戴設(shè)備之上，F(xiàn)eRAM 與 ReRAM 都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
富士通FeRAM和ReRAM產(chǎn)品的應(yīng)用
一、從電力計(jì)量到光儲(chǔ)充，F(xiàn)eRAM為電力應(yīng)用存數(shù)據(jù)
“智能電網(wǎng)包括充電樁、光伏變流器，都是這幾年對(duì)新一代存儲(chǔ)需求比較多的行業(yè)。我們?cè)诖箨懮罡嗄?，F(xiàn)eRAM銷(xiāo)量的重要來(lái)源之一就是智能電網(wǎng)。以電表為例，富士通是從智能電表發(fā)展的時(shí)候就介入市場(chǎng)的。”馮逸新說(shuō)道。此外，電表之外的繼電保護(hù)器也對(duì)存儲(chǔ)有一定的需求，主要用于記錄其未能正常工作的情況及事件發(fā)生的順序，這一應(yīng)用要求存儲(chǔ)器能夠進(jìn)行高速實(shí)時(shí)寫(xiě)入，而FeRAM無(wú)疑是一個(gè)最佳選擇。
“自2020年以來(lái)，光伏、逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)對(duì)FeRAM的需求顯著增長(zhǎng)。在光伏發(fā)電系統(tǒng)中，直流電（DC）需轉(zhuǎn)換為交流電（AC），這一過(guò)程中逆變器扮演著重要角色，它需要每秒或每個(gè)毫秒記錄故障信息及電流電壓狀態(tài)。同樣，在將電力轉(zhuǎn)換為交流電后，儲(chǔ)能系統(tǒng)中的電池管理系統(tǒng)（BMS）也需記錄相關(guān)數(shù)據(jù)，其工作原理與新能源汽車(chē)中的BMS相同。FeRAM憑借其高速讀寫(xiě)能力和卓越的可靠性，在這些應(yīng)用中展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)?！瘪T逸新補(bǔ)充道。
FeRAM在智能電網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用
二、獲磁式旋轉(zhuǎn)編碼器存儲(chǔ)青睞，無(wú)源（無(wú)電池）設(shè)計(jì)成趨勢(shì)
FeRAM的另一大應(yīng)用就是工廠自動(dòng)化（FA），據(jù)馮逸新介紹，施奈德、西門(mén)子、中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)達(dá)、大陸知名的數(shù)控機(jī)床供應(yīng)商，以及中國(guó)排名前五的FA供應(yīng)商等都是富士通的客戶，這些廠商的工廠自動(dòng)化部門(mén)采用的都是非常高端的存儲(chǔ)方案，除了FeRAM還有MRAM、NVSRAM等存儲(chǔ)器，近年來(lái)，尤其是在旋轉(zhuǎn)編碼器領(lǐng)域的應(yīng)用日益增多?！熬幋a器分為光學(xué)和磁式兩種類(lèi)型，在工廠自動(dòng)化控制和新能源汽車(chē)領(lǐng)域里，目前磁式旋轉(zhuǎn)編碼器發(fā)展是一個(gè)潮流。然而，由于磁式編碼器內(nèi)部使用了電池，而在歐洲等地電池受到了嚴(yán)格的管控。因此，為了實(shí)現(xiàn)無(wú)電池的編碼器設(shè)計(jì)，就需要可高速寫(xiě)入、讀寫(xiě)耐久性、超低功耗和內(nèi)置二進(jìn)制計(jì)數(shù)器的FeRAM來(lái)扮演關(guān)鍵角色?！瘪T逸新說(shuō)。
通常情況下，在伺服驅(qū)動(dòng)電機(jī)斷電后，可能會(huì)因外界不可預(yù)測(cè)的因素發(fā)生碰撞，導(dǎo)致電機(jī)重新啟動(dòng)時(shí)的位置與斷電前的位置產(chǎn)生偏移。這種情況下，如何在重啟時(shí)找回準(zhǔn)確的位置成為一個(gè)嚴(yán)峻的問(wèn)題。為了解決這一難題，通常會(huì)使用IC-Haus的主控芯片，配合波斯特的韋根線圈，并結(jié)合帶有二進(jìn)制計(jì)數(shù)功能的FeRAM。“當(dāng)外部不可抗力導(dǎo)致電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，韋根線圈可以產(chǎn)生微弱的電能，而低功耗FeRAM能夠在微弱電流的情況下工作，利用內(nèi)置的二進(jìn)制計(jì)數(shù)器記錄電機(jī)的旋轉(zhuǎn)次數(shù)。這樣一來(lái)，當(dāng)電機(jī)重新上電時(shí)，便能夠準(zhǔn)確地找回之前的位置。”馮逸新指出。
在歐洲和德國(guó)，編碼器技術(shù)發(fā)展迅速，德國(guó)的iC-House、SEW、Fraba等，日本的尼康、三菱電機(jī)、多摩川精機(jī)等都是旋轉(zhuǎn)編碼器的著名供應(yīng)商，他們也都在都在積極的研發(fā)相關(guān)產(chǎn)品?！皞鹘y(tǒng)的磁式編碼器通常配備有電池，但在歐洲，帶有電池的產(chǎn)品無(wú)法通過(guò)航空運(yùn)輸，只能選擇海運(yùn)，并且電池的管理極為嚴(yán)格。鑒于此，業(yè)界正在尋求去除電池的方法，因?yàn)殡姵卦谄涫褂脡勖陂g需要更換，這不僅增加了維護(hù)成本，對(duì)于位于偏遠(yuǎn)地區(qū)的公司而言，更換電池還意味著高昂的人工費(fèi)用。因此，未來(lái)旋轉(zhuǎn)編碼器需要實(shí)現(xiàn)無(wú)源（無(wú)電池），帶有二進(jìn)制計(jì)數(shù)器FeRAM是目前無(wú)二的選擇?！瘪T逸新介紹說(shuō)，最近幾年，中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)達(dá)以及中國(guó)大陸做編碼器的第一、二供應(yīng)商，都已經(jīng)把富士通的帶有二進(jìn)制計(jì)數(shù)器的FeRAM產(chǎn)品做進(jìn)了自己的產(chǎn)品內(nèi)，并計(jì)劃于明年開(kāi)始量產(chǎn)?？偟膩?lái)說(shuō)，這種無(wú)電池的設(shè)計(jì)符合未來(lái)的發(fā)展需求。
FeRAM在編碼器領(lǐng)域的應(yīng)用
三、從BMS、TBOX到行車(chē)記錄儀，全面賦能汽車(chē)關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
汽車(chē)電子因其獨(dú)特的工作環(huán)境和嚴(yán)格的需求，需要專門(mén)設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)解決方案來(lái)確保其可靠性和性能。傳統(tǒng)存儲(chǔ)解決方案往往因成本問(wèn)題而面臨挑戰(zhàn)，尤其是在EEPROM和NOR Flash的使用上。相比之下，由于新能源汽車(chē)領(lǐng)域的較高附加值，以及對(duì)創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)的采納更為積極，因此，富士通進(jìn)行了大量的市場(chǎng)開(kāi)拓，致力于提供符合汽車(chē)電子需求的先進(jìn)存儲(chǔ)解決方案。以BMS為例，每一顆電池芯片都需要記錄各種數(shù)據(jù)，并保持一致性，記錄的數(shù)據(jù)包括電池的SOC、狀態(tài)的SOH，以及電池壽命和充放電周期的信息。對(duì)于此類(lèi)應(yīng)用，所需的存儲(chǔ)器必須支持高速及頻繁的寫(xiě)入操作。兩年前，歐洲宣布將實(shí)施“電池護(hù)照”制度，規(guī)定從2027年起，所有進(jìn)入歐洲市場(chǎng)的電池必須持有符合要求的“電池護(hù)照”。馮逸新認(rèn)為，在新能源領(lǐng)域，尤其是中國(guó)市場(chǎng)，電池的回收與二次利用變得日益重要，未來(lái)若要與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌，實(shí)現(xiàn)電池護(hù)照的通行，就必須依賴高性能的存儲(chǔ)技術(shù)作為支撐，F(xiàn)eRAM是唯一能推動(dòng)電池護(hù)照系統(tǒng)的存儲(chǔ)解決方案。
FeRAM在汽車(chē)電子領(lǐng)域的應(yīng)用
“由于市場(chǎng)需求旺盛，汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品在過(guò)去兩年經(jīng)歷了諸多升級(jí)。從前的新能源電池包、電池管理系統(tǒng)（BMS）、車(chē)載通信終端（TBOX）、行車(chē)記錄儀，乃至先進(jìn)的胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，通常都需要使用符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的SPI接口。近年來(lái)，市場(chǎng)上還出現(xiàn)了對(duì)I2C接口的汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品的需求，為此，我們專門(mén)進(jìn)行了產(chǎn)品線的補(bǔ)充和完善。目前，我們不僅能提供高達(dá)1Mbit的大容量存儲(chǔ)，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了小型化封裝。”馮逸新補(bǔ)充到。
四、從醫(yī)療應(yīng)用到船舶、工程，ReRAM實(shí)現(xiàn)全方位布局
醫(yī)療領(lǐng)域值得一提是助聽(tīng)器。助聽(tīng)器里有一個(gè)lookup table用于根據(jù)個(gè)人聽(tīng)力和語(yǔ)言能力存儲(chǔ)定制數(shù)據(jù)，佩戴助聽(tīng)器后，設(shè)備會(huì)讀取這些數(shù)據(jù)，以幫助用戶恢復(fù)正常的聽(tīng)力水平?！澳壳?，全球能夠?qū)崿F(xiàn)ReRAM量產(chǎn)的廠商寥寥無(wú)幾。富士通在這一領(lǐng)域已積累了十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)，并已成為歐洲最大助聽(tīng)器公司的供應(yīng)商?！瘪T逸新說(shuō)，“現(xiàn)在，我們還在正積極開(kāi)拓可穿戴設(shè)備市場(chǎng)，并致力于更深入的發(fā)展?！?/p>
ReRAM在助聽(tīng)器領(lǐng)域的應(yīng)用
除此之外，富士通的FeRAM和ReRAM的應(yīng)用范圍還延伸到了多個(gè)領(lǐng)域，包括船舶、工程及農(nóng)業(yè)機(jī)械的智能化升級(jí)，游戲娛樂(lè)器械的體驗(yàn)革新，以及云端計(jì)算的數(shù)據(jù)中心優(yōu)化。在樓宇自動(dòng)化與通信基礎(chǔ)設(shè)施中，這些技術(shù)同樣扮演著重要角色，提升了系統(tǒng)的效率與可靠性。此外，標(biāo)簽和智能卡的安全性增強(qiáng)，以及可穿戴設(shè)備的功能拓展，也都得益于FeRAM和ReRAM的貢獻(xiàn)。馮逸新對(duì)這些多樣化的應(yīng)用的分享，也展示了這兩種存儲(chǔ)技術(shù)在推動(dòng)現(xiàn)代科技進(jìn)步方面的廣泛影響力。
高速、大容量：下一代FeRAM的產(chǎn)品迭代路徑明確
FeRAM在市場(chǎng)上應(yīng)用規(guī)模相對(duì)較小，主要原因在于兩大瓶頸：一是其容量有限，當(dāng)前最大容量?jī)H為8Mbit；二是較高的成本，限制了其更廣泛的應(yīng)用?！瓣P(guān)于未來(lái)如何實(shí)現(xiàn)大容量的發(fā)展，通常的做法是在現(xiàn)有的8Mbit基礎(chǔ)上，通過(guò)堆疊技術(shù)疊加多個(gè)單元來(lái)擴(kuò)展容量，例如疊加兩個(gè)單元可以達(dá)到16Mbit，疊加四個(gè)單元?jiǎng)t可達(dá)到32Mbit?！瘪T逸新分享道，“在速度方面，MRAM和SRAM的速度通常為35納秒（ns），而富士通目前最快的FeRAM為120ns。展望未來(lái)，我們計(jì)劃在下一代技術(shù)中實(shí)現(xiàn)速度的提升，目標(biāo)是將產(chǎn)品的響應(yīng)時(shí)間縮短至35ns?！?/p>
在演講的最后，馮逸新分享了富士通未來(lái)的計(jì)劃，主要包括兩個(gè)方面：首先，針對(duì)SRAM+battery組合，鑒于市場(chǎng)對(duì)電池管理提出了環(huán)保低碳的要求，存儲(chǔ)的發(fā)展方向?qū)⑹窍龑?duì)電池的依賴。其次，對(duì)于SRAM+EEPROM（或NVSRAM）組合，該配置與FeRAM相似，用現(xiàn)有量產(chǎn)FeRAM產(chǎn)品也可以替換，但是新一代高速FeRAM可以滿足與SRAM一樣的高速寫(xiě)入需求的應(yīng)用。馮逸新表示，未來(lái)的研究與開(kāi)發(fā)工作將緊密貼合市場(chǎng)需求，致力于進(jìn)一步提升FeRAM 的速度性能。同時(shí)，還將推進(jìn)Quad（四線）SPI產(chǎn)品的研發(fā)，以滿足如游戲機(jī)和高端工廠自動(dòng)化等對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速率有著更高要求的應(yīng)用領(lǐng)域的特殊需求。通過(guò)這些技術(shù)創(chuàng)新，富士通旨在為客戶提供更快的響應(yīng)時(shí)間和更高的數(shù)據(jù)處理能力，從而推動(dòng)相關(guān)行業(yè)的發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步。
富士通的高速并口接口FeRAM
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